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比较了腐蚀前后晶片几何参数的变化以及腐蚀去

  对硅片清洗的基本理论、常用工艺方法和技术进行了详细的论述 ,同时对一些常用的清洗方案进行了浅析 ,并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述。

  锗晶片化学机械抛光的条件分析%Condition Analysis of Chemical Mechanical Polishing of Germanium Wafers

  在不同务件下(不同助剂比例和不同研磨液浓度),通过对锗化学机械抛光速率变化的研究,探讨了锗片在SiO2胶体磨料与H2O2混合液加抛光助剂条件下的化学机械抛光过程,分...

  摘要: 介绍了半导体材料SiC抛光技术的发展及直接影响器件成品率的衬底材料几何参数和表面质量因素。讨论了SiC化学机械抛光方法(CMP),包括磨削、粗抛和精抛三个过...

  对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的腐蚀特性进行了研究,讨论了腐蚀速率与腐蚀液配比的关系,并对腐蚀速率的变化进行了分析。比较了腐蚀前后晶片几何参数的变化以及腐蚀去除...

  红外光学用Ge双面抛光片抛光工艺条件研究%Condition Analysis of Double Polishing Process of Ge Wafers

  分析了不同抛光条件下,Ge双面抛光片的表面状况,通过抛光压力,抛光液中氧化荆的比例,抛光机转速和转速比等条件的改变,阐述了这些因素对抛光速率,抛光片正反面质量的...

  激光技术自诞生以来,受到了广泛地关注,并逐步拓展了其应用领域.对激光技术在晶片/芯片加工领域的应用,激光打标技术,激光测试技术以及激光脉冲退火技术(LSA)进行简...

  一种半导体材料的激光打标方法杨洪星陈晨何远东赵权武永超吕菲于妍陈亚楠...

  娼沟愣韵蟮难≡穹椒 界面焦点对象的选择方法界面焦点对象的选择方法金晓静吕鑫杨洪星...

  走过11H2回卜十6点,一h20于乡的姑娘②匆忙忙来到了沂南县地税局蒲汪’税务所,交上了35元的税款,并合泪填写了一份后业申请书。姑娘苦W工学菊,来沂南呈蒲江镇梁家拐...

  正 为了满足药品生产和新药开发研究对实验动物的要求,根据我公司的具体情况,于1996年开始设计建造建筑面积1300平方米的兔楼,以饲养繁殖实验用家兔为主(饲养面积300...

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